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3D NAND
移动 TLC 3D NAND
美光移动 TLC 3D NAND 内存技术存储容量更大、速度更快，可满足现代智能手机对速度和功能的需求。
如今的移动设备愈发智能。最近的创新带来了用户与智能手机的全新互动方式，包括高级用户身份验证、增强现实、语言识别，以及更加个性化的图像处理功能。这些用户体验需要借助当今智能手机中嵌入的人工智能 (AI) 引擎来实现。
AI 引擎只有快速获得存储在本地的大量数据，才能及时作出响应。美光创新型 232 层三层单元 (TLC) 3D NAND 技术提供智能手机所需的速度和功能，存储容量大幅提升且性能超快。
美光 232 层 TLC 3D NAND 技术采用 CMOS 阵列下（CMOS Under Array）架构，与上一代 TLC 3D NAND 相比，封装尺寸相同，但存储密度提高了一倍。
美光 232 层 TLC 3D NAND 产品的速度相比上一代 TLC 3D NAND 大幅提升。
带宽比 e.MMC 5.1 增加一倍，命令队列技术支持同时读取和写入命令。
与竞品使用的电荷陷阱栅极相比，美光独特的浮动栅极技术具备更强的数据保留能力。浮动栅极技术采用互相隔离的电荷存储节点，单元间电荷隔离效果更佳，数据保留能力和可靠性更强。
美光 TLC 3D NAND 采用峰值功耗管理系统，可显著降低智能手机内存的峰值功耗。
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