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美光不仅设计和制造 NAND 闪存。我们通过创新优化了一系列 NAND 产品的工程设计,以此解决设计挑战,涵盖移动、嵌入式和数据中心存储等各种应用。
每单元存储 1 位数据;高性能和写入耐用度;专为高端、高密度、任务关键型系统设计,这些系统要求 NAND 具备高性能和可靠性,降低成本并非主要考虑因素。
多层单元 (MLC) NAND 闪存每单元可存储 2 位数据,实现了性能和写入耐久性的良好平衡,适用于广泛的成本敏感型大容量应用。
美光的三层单元 (TLC) NAND 闪存性能出众,适用于 PC、数据中心、移动设备、汽车以及 AI 云等应用。美光 TLC NAND 具备业界前沿的性能和密度,可用于构建新一代存储解决方案。
相较于 SLC、MLC 和 TLC NAND 闪存,美光四层单元 (QLC) NAND 可实现更高的存储密度。凭借高达 2Tb 的 QLC NAND 颗粒,美光 QLC NAND 拥有市场领先的存储密度和出众性能表现,带来了比以往更大的存储容量与设计灵活性。
美光提供全系列 NAND 产品,可满足各类解决方案的存储需求。
美光的 NAND 计算器工具用于估算每个主机通道的 NAND 电流/能量功耗,以及系统总 NAND 能量功耗。
查看并参考 NAND 相关技术说明的主题列表
此 SLC NAND 交叉参考工具用于比较美光产品与其他竞争厂商的产品。
您可以通过此单一来源获取所需的工具和资源,以便充分利用美光的产品和解决方案来满足您的设计需求。
使用我们的设计工具和资源来测试、构建和维护高性能解决方案,为您的设计流程提供支持。
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