美光历史：公司历程

美光率先推出业界四层单元 NAND SSD

美光率先推出采用变革性四层单元 (QLC) NAND 技术构建的 SSD。美光® 5210 ION SSD 的位密度较三层单元 (TLC) NAND SSD 高出 33%，适用于此前采用机械硬盘 (HDD) 的细分市场。

美光率先推出 8 Gb DDR3 单片 SDRAM，在业界占据优势地位

此产品提供显著的单器件密度提升，单芯片容量可达 1 GB。更高的密度实现了高成本效益的大容量解决方案，可以更好地支持大规模、数据密集型工作负载。

美光提供世界上尺寸更小的 16 纳米 NAND 闪存设备

美光的 16 纳米制程技术在单个颗粒上提供了 16 GB 的存储空间，是迄今为止开发的密度出众的平面 NAND 闪存。通过使用此工艺，单个 300 纳米晶圆可产生近 6 TB 的存储。

美光生产业内前沿的 2.5 英寸 PCIe 企业级 SSD

该解决方案将高性能 PCI Express 接口与外形尺寸为 2.5 英寸的热插拔定制款美光控制器相结合，为实现企业性能可扩展性和可服务性创造新的选择。

美光为 Ultrabook™  设备创造出新的低功耗 DRAM 类别

DDR3L-RS 内存是一种新型的“低功耗”DRAM 解决方案，为新一代高性能超薄设备（如笔记本电脑、平板电脑和 Ultrabook 系统）提供了更长的续航时间。
*Ultrabook 是英特尔公司或其子公司在美国和/或其他国家的商标。

美光推出 RealSSD™ C300，这是业内速度出众的客户端 SSD

在推出时，C300 SSD 可为笔记本电脑和台式电脑提供更快的速度。通过支持 SATA III 接口，此 SSD 提供 6 Gb/s 的吞吐速率，可显著提升吞吐量，加速数据传输、应用加载和启动时间。

美光和英特尔率先推出低于 40 纳米的 NAND 闪存

这款多层单元 (MLC) NAND 闪存设备是业界前沿的 32 Gb 单片 NAND，可以在数码相机、个人音乐播放器和数码摄像机等小型设备中实现高密度固态存储。

2004 年亮点

• 美光率先出货 2G NAND 闪存产品

美光开发出 130 万像素的 CMOS 图像传感器

美光迈入了图像传感器领域，成为一家能够制造 CMOS 技术的创新者，其图像质量堪比电荷耦合设备 (CCD) 传感器。如今，从智能手机到高端专业设备，CMOS 传感器已成为所有类型数码相机的标准配置。

美光展示了业界率先采用 110 纳米制程的 1 GB DDR

美光的 1 GB DDR 采用业界颇为先进的制程技术（110 纳米），而半导体巨头英特尔和 AMD 仍在使用 130 纳米制程。该芯片具有出众的密度和接口性能，助力美光在内存行业确立优势地位。

美光生产业内前沿的 DDR DRAM

美光对 Samurai 双倍数据率 (DDR) 芯片组的演示证明，DDR 内存可提供与 Direct RDRAM 解决方案相当的性能，但成本更低。未来 DDR 将成为高性能 DRAM 无可争议的行业标准接口。

美光 16 兆比特 DRAM 使个人电脑能够安装新版 Windows 3.1

16 兆比特 DRAM 取代了美光主流 4 兆比特 DRAM 系列，实现了密度里程碑。这些容量更高的芯片与 Microsoft 发布的 Windows 3.1 相兼容，这促使将对 PC RAM 的至低要求提高到了 1 兆字节。

美光推出前沿的视频 RAM 和快速静态 RAM 产品

256K 视频 RAM 和快速静态 RAM 的推出，使美光的产品组合范围超越了传统 DRAM，让美光成为差异化内存类型领域的参与者。

美光发布了世界上尺寸更小的 256K DRAM 芯片

除了作为世界上较小尺寸的 256K DRAM 颗粒推出以外，该芯片还代表了 DRAM 密度领域的行业里程碑。256K DRAM 采用更大、更易读取的内存单元，助力这家年轻的内存初创企业在未来提高效率并实现盈利。

美光发布了前沿的 64K DRAM 产品

美光的 64K DRAM 是在爱达荷州博伊西新建生产基地生产的第一款产品。美光面向许多首批量产个人电脑（Commodore 64 家用电脑）的厂家销售其 64K DRAM。

美光工程师们最终完成 64K DRAM 设计

虽然不是首家生产 64K DRAM 的公司，但美光的工程师们开发出一个更新、更小的版本，被誉为全球尺寸更小的 64K DRAM。这一创新设计助力美光在 1981 年实现前沿 64K 产品的量产。

美光科技成立

美光起初是一家只有四名员工的半导体设计公司，位于爱达荷州博伊西市一家牙科诊所的地下室。美光的第一份合同是为 Mostek 公司设计 64K 内存芯片。