1γ (1-Gamma) DRAM 技术

多代技术领导力

1γ (1-gamma) DRAM 技术以 1α (1-alpha) 和 1β (1-beta) 节点实现的卓越成就为基础，与 1β 技术相比，每片晶圆的位密度可提高 30% 以上。¹凭借设计上的优化，在提升速度的同时降低了功耗。极紫外 (EUV) 光刻工艺的改进，开创了一种更短时间内在硅晶片上产生更精细特征的方法。

卓越的工程技术

美光的 1γ DRAM 技术能够充分解锁 DDR5 的潜力，可将速度提升至 9200MT/s。与采用 1β 技术的产品相比，速度可提升 15%。更快的速度 = 更大的功耗？对 1γ 而言并非如此。凭借卓越的工程技术，1γ DDR5 能够实现更快的速度，同时功耗可降低多达 20%。²

助力未来创新

美光的 1γ 技术推动了下一代内存创新，可解决未来应用面临的问题。随着数据中心、移动设备、汽车应用甚至个人计算机中以数据为中心的工作负载（例如 AI）不断增加，美光 1γ 有望为用户带来更低的功耗、更大的容量和业界前沿的性能。

与之前的 1β DRAM 技术相比，每片晶圆的内存密度提高

与 1β DDR5 相比，功耗降低

与 1β DDR5 相比，速度提升

凭借下一代内存解决方案创新引领行业

凭借工艺和设计创新，美光正在引领内存技术的代际升级，打造面向未来的内存解决方案。凭借 1γ 节点技术，美光继续引领内存技术进步，满足行业对更高性能、更低功耗和更多产能的需求。从信息图中了解更多信息。

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开创性的内存技术进步可满足未来的计算需求

美光今日宣布，在业界率先送样采用 1γ (1-gamma) DRAM 节点技术的 DDR5 内存。样品将发送给部分数据中心客户、客户端客户以及生态系统内部厂商。

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1γ 背后：美光的全新 DRAM 制程节点

美光的 1γ 技术节点是一种新的制造工艺，利用前沿的极紫外 (EUV) 光刻技术和美光的下一代高 K 金属栅极 (HKMG) CMOS 技术，在位密度和性能方面可实现大幅提升，同时显著降低功耗。阅读技术简介，深入了解 1γ 背后的先进技术。这些技术改进了 DRAM 技术并优化了晶圆厂的生产流程，使美光能够有效推进下一代内存创新，支持数据中心、移动、汽车和客户端等行业中的 AI 应用。

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新兴技术与战略增长：theCUBE 专访 Sumit Sadana

观看 theCUBE 在 2025 年巴塞罗那世界移动通信大会 (MWC25) 上对美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 的深度专访。访谈由 theCUBE 的 Savannah Peterson 和 Dave Vellante 主持。内容包括美光新发布的前沿 1-gamma DRAM 技术、EUV 进展，以及未来的高带宽内存和 AI 驱动的增长。