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DDR5 的优势
迁移到 DDR5 的优势
DDR5 是新一代 DRAM 内存，具有一系列强大的功能，可提升可靠性、可用性和可维护性 (RAS)，降低能耗并显著提高性能。请查看下方表格，了解 DDR4 和 DDR5 之间的一些主要特性差异。
| 特性/选项 | DDR4 | DDR5 | DDR5 优势 | |
|---|---|---|---|---|
| 数据速率 | 600-3200MT/s | 4800-8800MT/s | 提高性能和带宽 | |
| VDD/VDDQ/VPP | 1.2/1.2/2.5 | 1.1/1.1/1.8 | 更低功耗 | |
| 内部 VREF | VREFDQ | VREFDQ、VREFCA、VREFCS | 提高电压裕度，降低 BOM 成本 | |
| 设备存储密度 | 2Gb-16Gb | 16Gb、24Gb、32Gb | 支持容量更大的单芯片设备 | |
| 预取 | 8n | 16n | 保持较低的内部核心时钟频率 | |
| DQ 接收器均衡 | CTLE | DFE | 改善 DRAM 内接收的 DQ 数据眼图的张开度 | |
| 占空比调整 (DCA) | 无 | DQ 和 DQS | 改善发送 DQ/DQS 引脚上的信号传输 | |
| 内部 DQS 延迟监控 | 无 | DQS 间隔振荡器 | 增强环境变化时的稳健性 | |
| 片上 ECC | 无 | 128b+8b SEC、错误检查和清理 | 增强片上 RAS | |
| CRC | 写入 | 读/写 | 通过保护读取数据操作增强系统 RAS | |
| 存储体组 (BG)/存储体 | 4 BG x 4 存储体 (x4/x8) 2 BG x 4 存储体 (x16) | 8 BG x 4 存储体 (16-64Gb x4/x8) 4 BG x 4 存储体 (16-64Gb x16) | 提高带宽/性能 | |
| 命令/地址接口 | ODT、CKE、ACT、RAS、CAS、WE、A<X:0> | CA<13:0> | 显著减少 CA 引脚数 | |
| ODT | DQ、DQS、DM/DBI | DQ、DQS、DM、CA 总线 | 提高信号完整度，降低 BOM 成本 | |
| 突发长度 | BL8（以及 BC4） | BL16（以及 BC8 OTF） | 仅使用 1 个 DIMM 子通道即可获取 64B 缓存行。 | |
| MIR（“镜像”引脚） | 无 | 可以 | 改善 DIMM 信号传输 | |
| 总线反转 | 数据总线反转 (DBI) | 命令/地址反转 (CAI) | 降低 VDDQ 噪声 | |
| CA 训练、CS 训练 | 无 | CA 训练、CS 训练 | 改善 CA 和 CS 引脚上的时序裕度 | |
| 写入均衡训练模式 | 可以 | 进一步改进 | 补偿不匹配的 DQ-DQS 路径 | |
| 读取训练模式 | 可通过 MPR 实现 | 专用 MR，用于串行（用户定义）、时钟和 LFSR 生成的训练模式 | 使读取时序裕度更加稳健 | |
| 模式寄存器 | 7 x 17 位 | 最多 256 x 8 位（LPDDR 类型读/写） | 提供扩展空间 | |
| PRECHARGE 命令 | 所有存储体、每个储存体 | 所有存储体、每个储存体、同一存储体 | PREsb 允许在每个 BG 中对存储体预充电 | |
| REFRESH 命令 | 所有存储体 | 所有存储体、同一存储体 | REFsb 允许在每个 BG 中刷新存储体 | |
| 环回模式 | 无 | 可以 | 支持 DQ 和 DQS 信号传输测试 |
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常见问答
不可以。DDR5 内存与 DDR4 主板在物理上和电气上都不兼容。DDR5 内存仅适用于 DDR5 主板，而 DDR4 内存仅适用于 DDR4 主板。
二者皆可！提到内存传输速率时，美光以兆传输速率/秒 (MT/s) 为单位。当提到内存的实际时钟速度时，宜使用兆赫 (MHz) 为单位。所有的 DDR 内存技术（包括 DDR5 RAM）都是“双倍数据率”，可同时在时钟信号的上升沿和下降沿传输数据。
简而言之，它们的意思基本上都一样。RAM（随机存取存储器）是计算机主工作内存的统称。DRAM（动态随机存取存储器，发音为“dee-ram”）是个人计算机和服务器中最常用的内存类型。SDRAM（同步动态随机存取存储器）是指一种在 20 世纪 90 年代首次大规模商业化的时序创新技术，现已在所有 DRAM 产品中普及。SDRAM 与系统时钟同步运行，从而实现更快速、更高效的性能。
DDR5 内存即 DDR5 SDRAM。虽然内存通常被称为“DRAM”或简称为“RAM”，但美光销售的所有现代服务器内存均采用先进的 SDRAM 技术，特别为实现高性能和高可靠性而设计。
DDR5 内存相比 DDR4 提供了多项关键改进，尤其适用于现代数据密集型工作负载。DDR5 提供了更高的带宽和更快的数据传输速率，从而为人工智能、机器学习、高级分析和高性能计算等应用带来更出色的性能表现。它还提高了每个模块的内存容量，使系统能够更高效地扩展。
此外，DDR5 在设计上提升了能效，通过采用模块级电源管理技术，在降低整体能耗的同时，提供更稳定一致的性能表现。与 DDR4 相比，某些增强功能（如每个 DIMM 配备双独立通道等）也提升了数据处理和多任务处理能力。
如需了解有关 DDR5 和 DDR4 的更多信息以及两者的差异概述，请参阅 DDR5 与 DDR4 对比评估。
是的。随着数据中心逐步升级以支持 AI 训练所用的更复杂算法，DDR5 服务器内存相比 DDR4 具备以下优势：
- 美光 DDR5 服务器 DRAM 的性能接近 DDR4 的两倍。与 DDR4 相比，DDR5 专门针对服务器进行了优化，可将服务器和工作站的性能提高 85% 或以上。DDR4 于 2014 年首次推出，目前已无法满足数据中心的需求。随着单个平台上的虚拟机运行实例越来越多，DDR5 技术可缓解每核心内存带宽紧张的问题，并能够提高虚拟化应用的性能及响应能力。
- 美光在 DDR5 服务器内存模块上嵌入了电源管理集成电路 (PMIC)。得益于此设计，在系统插槽尚未插满的情况下，DDR5 服务器的初期整体供电成本更低。
- 与 DDR4 相比，美光 DDR5 服务器内存的带宽更高，可靠性、可用性和可扩展性更强。美光 DDR5 服务器内存均经过全面的器件级和模块级测试，符合关键任务服务器标准，并针对当前和未来英特尔® 和 AMD® DDR5 服务器及工作站平台进行了优化。作为三大内存制造商之一，美光对 DDR5 服务器内存进行了测试和验证，使其能够在所有主流 DDR5 服务器平台上运行。
DDR5 内存的工作电压为 1.1 伏，相比 DDR4 的 1.2 伏，在规模化应用时每比特功耗显著降低。
美光与 CPU 和平台开发领域的行业巨头，以及前沿的系统和主板制造商保持着紧密合作，共同推动下一代内存技术的实现。美光是久经考验的行业先锋，拥有丰富经验和专业知识，能够全程自主研发并制造高品质的服务器内存产品。
2. 目前正在向生态系统伙伴送样。
3. https://www.dell.com/en-us/blog/leading-sap-hana-performance-by-dell-poweredge-r760-servers/
4. 基于竞品的数据表和 JEDEC 规范。