chevron_left返回
建议的搜索
请输入有效的电子邮件地址
受限制的电子邮件域名。请输入您注册的工作电子邮件地址。
意外错误，请稍后重试
您输入的电子邮件地址未注册。请先注册，然后再登录
由于信息不完整，该账户目前不满足合规标准，需要审查。请点击下方注册链接，更新您的详细信息。
Invalid input. Special characters are not supported.
NAND 闪存
多层单元 (MLC) NAND 闪存每单元可存储 2 位数据，实现了性能和写入耐久性的良好平衡，适用于广泛的成本敏感型大容量应用。
详细信息
本指南介绍了美光提供的各种闪存技术，旨在帮助系统设计师根据需求选择合适的闪存解决方案。
简要介绍每种 NAND 闪存的特性和优势，帮助设计师选择合适的产品。
如果您的写入密集型企业应用需要比 SLC NAND 更经济高效的解决方案，那么美光的企业级 MLC (eMLC) NAND 可能是您的不二之选，它是事务密集型数据服务器和企业设备的理想存储解决方案。
美光 20nm 和 16nm FortisFlash 器件采用 1 到 16 个颗粒堆叠的标准 BGA 封装，具备媲美高速 MLC 的性能，同时提供更持久的耐用度。耐用度比标准 MLC 更持久，同时避免了企业级 MLC (eMLC) 的使用限制。
移动计算和数据中心不断增长的需求推动了大容量、高性能 NAND 闪存技术的发展。随着平面 NAND 技术接近其容量提升的物理极限，仅靠升级换代难以满足市场需求。美光的 3D NAND 技术采用创新型制程架构，能提供相当于平面 NAND 技术三倍的容量，且性能和可靠性更佳。
您可以通过此单一来源获取所需的工具和资源，以便充分利用美光的产品和解决方案来满足您的设计需求。
需要联系我们？ 请联系我们的支持服务团队，获取我们各运营地点的联系人信息。
获取有关产品特性、规格、功能等的详细信息。
用于订购美光内存样品及跟踪订单的在线资源。
这些资源可以帮助您设计、测试、构建和优化创新解决方案。
