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    NAND 闪存

    QLC NAND 闪存

    相较于 SLC、MLC 和 TLC NAND 闪存，美光四层单元 (QLC) NAND 可实现更高的存储密度。凭借高达 2Tb 的 QLC NAND 颗粒，美光 QLC NAND 拥有市场领先的存储密度和出众性能表现，带来了比以往更大的存储容量与设计灵活性。

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    G9 QLC NAND 闪存

    通过业界首款应用于 SSD 的第九代 QLC NAND（现正向 OEM 厂商出货），体验未来 SSD 性能的革新境界。作为率先采用 2Tb G9 QLC NAND 颗粒的 SSD，该产品重新定义了性能标杆。

    其六平面 NAND 架构可实现更高程度的并行处理能力，支持同步执行更多读写指令，显著提升性能。凭借高达 3.6GB/s 的 I/O 传输速率，G9 QLC NAND 带来了超凡的存储性能表现。1,2​

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    美光 G9 QLC NAND

    G8 QLC NAND 闪存

    继率先推出拥有业界最高密度的 G7 QLC NAND 后，美光再次突破技术边界，现已开始出货另一项全球突破性成就：G8 QLC NAND。1

    该产品采用 QLC 品类前沿的替换栅极架构，实现了业界出众的存储密度，可满足客户端、移动设备、汽车、数据中心及企业级存储等多元化应用场景需求。

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    美光 G8 QLC NAND

    1. 竞争厂商包括 SK 海力士、Solidigm、Kioxia、WD 和三星。
    2. NAND 的比较基于当前在产 NAND 产品（详见脚注 1）发布时公开的信息以及美光的工程数据。

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