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QLC NAND 闪存

G8 QLC NAND 闪存

划时代的性能和存储密度,加速新一波端到端技术创新。

行业前沿的性能与密度,再创辉煌

继率先推出拥有业界最高密度的 G7 QLC NAND 后,美光再次突破技术边界,现已开始出货另一项全球突破性成就:G8 QLC NAND。1

该产品采用 QLC 品类前沿的替换栅极架构,实现了业界出众的存储密度,可满足客户端、移动设备、汽车、数据中心及企业级存储等多元化应用场景需求。

美光 G8 QLC NAND

G8 QLC SSD 的三大优势

更高的密度

与此前技术相比,QLC 的每个单元可存储更多位数,从而提高了密度和成本效益。美光利用业界前沿架构,在全球率先发布 200+ 层 G8 QLC NAND,实现了比竞品更高的存储密度及更短的存取时间,进一步提升了这些优势。1,2

高性能

I/O 速度高达 2400 MT/s,处于业界前沿水平,与上一代 G7 QLC NAND 相比,读取性能提高 24%,写入性能提高 31%。1,2

高密度,小尺寸

为 OEM 制造商带来高于竞品 QLC NAND 的每平方毫米可存储字节数,体积更小,但容量更大,可满足客户端设备及大容量数据中心存储的需求。2

采用 G8 QLC NAND,可提供出众的用户体验和性能

美光 2500 NVMeTM SSD 采用美光新发布的业界前沿 G8 QLC NAND。该产品可为用户带来出众体验和日常计算性能。2

美光 2500 NVMe SSD 模块

1. 竞争厂商包括 SK 海力士、Solidigm、Kioxia、WD 和三星。
2. NAND 的比较基于当前在产 NAND 产品(详见脚注 1)在发布时的公开信息以及美光的工程数据。

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