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QLC NAND 闪存
G8 QLC NAND 闪存
划时代的性能和存储密度，加速新一波端到端技术创新。
继率先推出拥有业界最高密度的 G7 QLC NAND 后，美光再次突破技术边界，现已开始出货另一项全球突破性成就：G8 QLC NAND。1
该产品采用 QLC 品类前沿的替换栅极架构，实现了业界出众的存储密度，可满足客户端、移动设备、汽车、数据中心及企业级存储等多元化应用场景需求。
更高的密度
与此前技术相比，QLC 的每个单元可存储更多位数，从而提高了密度和成本效益。美光利用业界前沿架构，在全球率先发布 200+ 层 G8 QLC NAND，实现了比竞品更高的存储密度及更短的存取时间，进一步提升了这些优势。1,2
高性能
I/O 速度高达 2400 MT/s，处于业界前沿水平，与上一代 G7 QLC NAND 相比，读取性能提高 24%，写入性能提高 31%。1,2
高密度，小尺寸
为 OEM 制造商带来高于竞品 QLC NAND 的每平方毫米可存储字节数，体积更小，但容量更大，可满足客户端设备及大容量数据中心存储的需求。2
美光 2500 NVMeTM SSD 采用美光新发布的业界前沿 G8 QLC NAND。该产品可为用户带来出众体验和日常计算性能。2
1. 竞争厂商包括 SK 海力士、Solidigm、Kioxia、WD 和三星。 2. NAND 的比较基于当前在产 NAND 产品（详见脚注 1）在发布时的公开信息以及美光的工程数据。
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