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项目介绍
2022 年,美光宣布了将前沿内存制造带到纽约州中部的历史性投资计划。
现在,61 亿美元的《芯片与科学法案》拨款将推动美光计划到 2030 年为美国国内前沿内存制造投资约 500 亿美元的总资本支出。美光计划未来 20 多年在爱达荷州博伊西建立一座前沿研发和制造中心,并在纽约州克莱建立一座包括四个晶圆厂的制造综合体,潜在投资总额高达 1,250 亿美元,而这项投资是美光实现这一愿景的第一步。
美光计划建造的前沿半导体制造工厂预计将在未来 20 多年里创造约 75,000 个国内就业岗位,并加强美国的经济和国家安全,为美国未来几年的创新和竞争助力。在纽约州,这包括 9,000 个美光内部工作岗位、4,500 个建筑工作岗位和 40,000 个间接工作岗位。
目前,该项目正在进行初步设计、实地研究和许可申请(包括 NEPA)。第一座晶圆厂的建设预计于 2025 年开始,然后于 2028 年投产,并随未来十年的市场需求逐步提高产量。
近期公告
环境审查程序活动
活动预告
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过往活动
美光于 2023 年 8 月 1 日举办了一场开放日活动,供公众详细了解即将针对美光计划中的纽约项目启动的环境审查程序。
2024 年 3 月 19 日,美国陆军工程兵团 (USACE) 主持了一场公开范围界定会议,征集公众对美光在纽约州克莱建造和运营半导体制造工厂的提案的意见。
位置
美光在纽约州中部的工厂最终可能包括 4 个 60 万(总共 240 万)平方英尺的洁净室,这是美国有史以来宣布的最大的洁净室空间。
美光很高兴能在纽约州建造这座新的超级晶圆厂,使帝国州成为美国最大的前沿内存工厂所在地。
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常见问答 - 州环境质量审查法 (SEQRA)
- 所提项目将进一步推动美国目标的实现,即,如《2022 年创造有利半导体生产的激励措施和科学法案》(Creating Helpful Incentives to Produce Semiconductors [CHIPS] and Science Act of 2022,简称“芯片法案”)所述,提升美国国内的内存芯片制造能力以及重新确立美国在半导体制造领域的领导地位。对美光而言,之所以提出这一项目,是为了巩固其在 DRAM 内存芯片开发和制造方面的领先地位。
- 芯片法案的目的和对半导体制造设施的需求都是为了减少美国对外国前沿和老一代微电子产品供应的依赖。美国在半导体行业的地位日渐式微。根据美国半导体行业协会 (Semiconductor Industry Association) 的数据,美国在全球微芯片产量中的占比已从 1990 年的 37% 降至 2020 年的 12%。
- 所提项目旨在提高国内制造能力、建立半导体研究和创新中心网络、提高竞争力和加强区域供应链产业,最终达到解决经济和国家安全风险的目的。前沿内存芯片是半导体行业中至关重要且需求量极大的器件,而美光可在美国国内的前沿内存芯片生产中发挥独特而重要的作用。
- 新的美光半导体制造工厂拟落地纽约州克莱镇的白松商业园区 (WPCP),这是一个占地约 1,400 英亩的工业园区,目前由奥内达加县工业发展局 (OCIDA) 管理。
- 美光将建造四 (4) 座内存制造工厂(“晶圆厂”),为期约 20 年。美光预计这些晶圆厂将按顺序建设,即后一座晶圆厂会在前一座晶圆厂开始装修和运营时启动建设施工,因此建设工作会持续不断地进行。
- 每座晶圆厂预计占地约 120 万平方英尺,包括约 60 万平方英尺的洁净室空间、29 万平方英尺的洁净室支持空间和 25 万平方英尺的行政办公空间。每两座晶圆厂为一组,将配备约 47 万平方英尺的中央公用设施建筑、20 万平方英尺的仓库空间和 20 万平方英尺的产品测试空间,这些空间均位于不同的建筑中。
- 此外,所提出的美光园区还将包括配套的现场变电站、水和废水预处理和储存设施以及工业气体储存设施。该美光园区包括四 (4) 座晶圆厂以及配套的现场支持设施、车道、停车场、邻近的公用基础设施场地、儿童保育中心(位于园区以北约两英里处),以及相互连通、用于支持运营的改进后非现场公用设施。
- 美光的制造工厂投资将推动该地区的先进制造业发展,帮助纽约州和 OCIDA 实现其促进纽约州中部就业增长的目标。
- 该制造工厂预计将在 20 多年里为纽约州创造超过 50,000 个就业岗位,包括由制造工厂直接带来的 9,000 个美光内部高薪工作岗位、4,500 个建筑工作岗位和 40,000 个间接工作岗位。
- 纽约州中部拥有丰富的多元化人才,包括在科技工作岗位任职人数偏低的社区。该地区还有大量军人,契合美光招聘退伍军人的目标。纽约州拥有与当地 K-12 教育项目和领先高等教育机构的优质教育合作机会,有助于培养顶尖的工程和技术人才。打造未来劳动力是美光的重中之重。美光会专注于培养、吸引和留住优秀人才,帮助美国继续保持技术领先地位,并期待分享有关为实现这些目标而建立的伙伴关系的更多细节。
- 美光和纽约州宣布了一项历史性的 5 亿美元投资,用于在 20 多年的时间里支持社区和劳动力发展。美光将根据其承诺,进一步向绿色芯片社区投资基金投资 2.5 亿美元。预计还将投资 2.5 亿美元,其中 1 亿美元来自纽约州,1.5 亿美元来自当地、其他州和国内各地的合作伙伴。该基金旨在扩大和培训该地区的劳动力队伍,包括为弱势群体提供支持。
美光很高兴能在纽约州建造这座新的制造工厂,使帝国州成为美国最大的前沿内存工厂所在地。纽约州成为美光新制造工厂的理想之地,原因有多个:
- 纽约州中部拥有丰富的多元化人才,包括在科技工作岗位任职人数偏低的社区。
- 该地区可为美光未来的员工和家庭提供很多有利条件,包括城市和户外生活方式、可负担的生活成本和先进的高等教育机构。
- 纽约州拥有与当地 K-12 教育项目、社区学院和机构之间的优质教育合作机会,有助于培养顶尖的工程和技术人才。
- 该地区还有大量军人,契合美光招聘退伍军人的目标。
- 可获得清洁可靠的电力和水,有助于实现公司的长期环境目标。
- 纽约在半导体开发和制造方面有着悠久的历史,而且拥有大好的机会可以延伸到内存领域。
- 有机会就研发倡议进行合作,包括:
- 奥尔巴尼纳米技术综合中心 - 研发和劳动力培养计划中心。
- 位于纽约州罗马的美国空军研究实验室,专注于关键任务研发项目以及军事和国防准备工作。
- 纽约州将在整个项目期间提供价值 55 亿美元的激励措施,这对支持美光的招聘和资本投资至关重要。此外,克莱镇和奥内达加县正在为美光新的前沿半导体制造设施兴建关键配套基础设施。
美光致力于根据绿色芯片计划,在新工厂的设计、建造和运营方面落实其可持续发展框架。
- 美光的目标是在新工厂实现 100% 的水资源再利用、再循环和水体修复,以及 100% 使用可再生电力。
- 此外,公司计划在新制造工厂的建设中应用绿色基础设施和可持续建筑材料,以达到“能源与环境设计先锋”(LEED) 金级认证标准。
- 采用先进技术减少和控制新工厂的温室气体排放。
- 我们将努力纳入节能措施。
- 我们将在可行的范围内利用绿色氢(由可再生电力提供动力,通过电解形成的氢,不排放温室气体)来取代/代替天然气和灰色氢消耗。
- 美光的目标是实现零废物填埋。
这些努力将支持美光实现其全球目标,即到 2030 年实现运营产生的温室气体排放(范围 1 排放)较 2020 年基线减少 42%,到 2050 年实现运营和外购能源净零排放(范围 1 和范围 2 排放),助力《巴黎协定》目标的实现。
我们打算以尽量减少干扰的方式进行实地调查。当地居民可能会看到,有人在白松商业园区内部或附近安装、监测和收集装在防风雨黑色箱子中的交通量计数摄像头和仪器以及噪音计。现场可能会有各种承包商前来钻小洞,以采集岩土样本、调查动植物栖息地、划定湿地以及进行其他调查工作。一些调查工作需要通宵进行,但预计不会给公众带来明显的亮光或噪音。
不管是过去还是将来,公众都有各种机会根据《纽约州环境质量审查法》(SEQRA) 的规定,通过环境审查程序就项目提供意见和反馈。牵头机构 OCIDA 已于 2023 年秋季完成了正式的范围界定程序,并收到了社区成员的书面和口头意见。我们预计将在 2024 年夏季发布《环境影响报告草案》(简称“EIS 草案”),并举行公开听证会以听取公众意见。美光迄今为止已举办了数十场社区和利益相关者活动,并将在整个环境审查过程中继续与公众互动,在寻求反馈的同时,为公众了解更多信息和分享想法提供机会。
第一座晶圆厂的建设预计于 2025 年开始。我们必须首先完成所需的环境审查程序,并将在整个 2023 年到 2024 年完成所有必要的环节。建设工作将在环境审查程序结束且牵头机构发布“决策记录”后开始。
我们会与当地社区以及州和地方各级政府官员密切合作,切实管理工厂建设造成的潜在影响,例如交通。目前美光正与纽约州交通部 (NYSDOT)、奥内达加县、克莱镇和西塞罗镇协调,准备对地区和地方层面的交通状况进行评估。锡拉丘兹都市交通委员会 (SMTC) 也提供了意见。《环境影响报告草案》将确立拟议的交通改善措施以及实施这些措施的时间表。
- 奥内达加县工业发展局 (OCIDA) 是根据《纽约州环境质量审查法》(SEQRA) 对项目进行环境审查的牵头机构。美光作为项目发起人,将根据 SEQRA 编写《环境影响报告草案》(简称“EIS 草案”)。由于半导体制造工厂需要获得某些涉及联邦环境审查的联邦许可和批准,包括但不限于《清洁水法案》(Clean Water Act) 第 404 条规定的联邦湿地许可,因此,SEQRA EIS 草案还需包含支持《1969 年国家环境政策法案》(NEPA,参见美国法典 (U.S.C.) 第 42 编第 4321 节及以下条款)审查的信息。
- 根据相关 SEQRA 要求,将评估半导体制造工厂对项目现场和所有相关环境技术类别的适用研究区域的潜在重大不利影响。《环境影响报告草案》应同时考虑半导体制造工厂的短期(建设)影响和长期(运营)影响(包括直接和间接影响)。在适用情况下,还应说明累积影响。《环境影响报告草案》应确立针对任何重大不利环境影响的拟议缓解措施。
有关更多信息,请参阅 SEQRA 工作范围。