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创纪录的位密度、更低的功耗、更高的性能。美光的 1α 节点展示出公司在前沿 DRAM 制程技术方面的创新。
受物理特性限制，传统的光刻工艺几乎不可能在 1α 尺度上完成。为了实现业界前沿节点，美光率先推出了一种纳米制造工艺，该工艺结合了计算光刻和多图案形成技术，旨在克服传统光刻工艺的固有限制。凭借新工艺，美光成功实现了业界首个 1α 节点。
相比美光的上一代技术，前沿 1α DRAM 的内存密度有显著提高，可满足数据密集型应用的需求，并提升移动设备、智能车辆、数据中心、工业边缘等各个领域应用的性能。
美光 1α DRAM 制程技术可用于制造低功耗移动 DRAM，能够为需要高性能 LPDRAM 的移动平台提供高速 LPDDR5。
与美光前一代 1z DRAM 节点相比，内存密度有显著提高。
与美光前一代 1z 移动 DRAM 相比，功耗大幅降低。
美光 1α 节点内存密度提高。
与建造汽车或房屋等大型物体相比，要在指甲盖大小的芯片内容纳数十亿个元件，其工艺更加困难和复杂。相关工艺被称为纳米制造，也是美光制造存储芯片所采用的方式。2020 年，美光推出了当时业界前沿的纳米制造技术，名为“1α”(1-alpha)。美光 DRAM 制程集成副总裁 Thy Tran 介绍了美光 1α DRAM 制程技术令人惊叹的优势，以及她如何带领全球美光团队在创纪录的时间内将 1α 从概念阶段推进到大批量生产阶段。
2021 年初，美光宣布采用当时业界前沿 DRAM 制程技术制造的存储芯片批量出货。这种被称为“1α”(1-alpha) 的制造技术在位密度、能源效率和性能方面均有显著改进。阅读下面的文章，了解什么是 1α，以及为何该技术代表了纳米制造技术的重大飞跃。
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