设计工具

Invalid input. Special characters are not supported.

DRAM 器件

从 DDR3 到 DDR4

比较 DDR3 和 DDR4 内存之间的一些关键特性差异。

DDR4 相较于 DDR3 的优势

DDR4 是新一代 DRAM 内存,具有更高的性能和更强大的控制功能,还可提升企业应用、微服务器、平板电脑和超轻薄客户端设备的能效。下表比较了 DDR3 和 DDR4 之间的一些关键特性差异。

特性/选项DDR3DDR4DDR4 优势
 电压(核心和 I/O) 1.5V 1.2V 减少内存功耗需求
 VREF 输入 2 – DQ 和 CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQ 现在位于内部
 低电压标准 支持(DDR3L 为 1.35V) 不支持 更低的内存功耗
 数据速率 (Mb/s) 800、1066、1333、1600、1866、2133 1600、1866、2133、2400、2666、3200 升级到更高速度的 I/O
 存储密度 512Mb–8Gb 2Gb–16Gb 更容易构建大容量内存子系统
 内部存储体个数 8 16 更多存储体
 存储体组 (BG) 0 4 更快的突发访问
 tCK – DLL 启用 300 MHz 至 800 MHz 667 MHz 至 1.6 GHz 更高的数据速率
tCK – DLL 禁用 10 MHz 至 125 MHz(可选) 未定义至 125 MHz 现已完全支持 DLL-off 模式
 读取延迟 AL + CL AL + CL 扩大值
 写入延迟 AL + CWL AL + CWL 扩大值
 DQ 驱动器 (ALT) 40Ω 48Ω 专为 PtP(点对点)应用优化
 DQ 总线 SSTL15 POD12 更低的 I/O 噪声和功耗
 RTT 值 (Ω) 120、60、40、30、20 240、120、80、60、48、40、34 支持更高的数据速率
 禁止 RTT 读取突发 读取突发期间禁用 易于使用
 ODT 模式 标称、动态 标称、动态、驻留 额外的控制模式;支持 OTF 值变更
 ODT 控制 需要 ODT 信号 不需要 ODT 信号 易于使用的 ODT 控制,允许 PtP 应用上的非 ODT 路由
 多用途寄存器 (MPR) 4 个寄存器 – 1 个已定义,3 个 RFU 4 个寄存器 – 3 个已定义,1 个 RFU 提供额外的专用读出器

 

客户支持

需要联系我们? 请联系我们的支持服务团队,获取我们各运营地点的联系人信息。

搜索、筛选和下载数据表

获取有关产品特性、规格、功能等的详细信息。

订购美光产品样品

用于订购美光内存样品及跟踪订单的在线资源。

下载及技术文档

这些资源可以帮助您设计、测试、构建和优化创新解决方案。