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DDR4 相较于 DDR3 的优势
DDR4 是新一代 DRAM 内存，具有更高的性能和更强大的控制功能，还可提升企业应用、微服务器、平板电脑和超轻薄客户端设备的能效。下表比较了 DDR3 和 DDR4 之间的一些关键特性差异。
| 特性/选项 | DDR3 | DDR4 | DDR4 优势 |
|---|---|---|---|
| 电压（核心和 I/O） | 1.5V | 1.2V | 减少内存功耗需求 |
| VREF 输入 | 2 – DQ 和 CMD/ADDR | 1 – CMD/ADDR | VREFDQ 现在位于内部 |
| 低电压标准 | 支持（DDR3L 为 1.35V） | 不支持 | 更低的内存功耗 |
| 数据速率 (Mb/s) | 800、1066、1333、1600、1866、2133 | 1600、1866、2133、2400、2666、3200 | 升级到更高速度的 I/O |
| 存储密度 | 512Mb–8Gb | 2Gb–16Gb | 更容易构建大容量内存子系统 |
| 内部存储体个数 | 8 | 16 | 更多存储体 |
| 存储体组 (BG) | 0 | 4 | 更快的突发访问 |
| tCK – DLL 启用 | 300 MHz 至 800 MHz | 667 MHz 至 1.6 GHz | 更高的数据速率 |
| tCK – DLL 禁用 | 10 MHz 至 125 MHz（可选） | 未定义至 125 MHz | 现已完全支持 DLL-off 模式 |
| 读取延迟 | AL + CL | AL + CL | 扩大值 |
| 写入延迟 | AL + CWL | AL + CWL | 扩大值 |
| DQ 驱动器 (ALT) | 40Ω | 48Ω | 专为 PtP（点对点）应用优化 |
| DQ 总线 | SSTL15 | POD12 | 更低的 I/O 噪声和功耗 |
| RTT 值 (Ω) | 120、60、40、30、20 | 240、120、80、60、48、40、34 | 支持更高的数据速率 |
| 禁止 RTT | 读取突发 | 读取突发期间禁用 | 易于使用 |
| ODT 模式 | 标称、动态 | 标称、动态、驻留 | 额外的控制模式；支持 OTF 值变更 |
| ODT 控制 | 需要 ODT 信号 | 不需要 ODT 信号 | 易于使用的 ODT 控制，允许 PtP 应用上的非 ODT 路由 |
| 多用途寄存器 (MPR) | 4 个寄存器 – 1 个已定义，3 个 RFU | 4 个寄存器 – 3 个已定义，1 个 RFU | 提供额外的专用读出器 |
