客户期望内存和存储解决方案的性能和可靠性不断提高，同时能够控制功耗和成本。为满足这些要求，美光需要拥有深厚技术专长且勇于创新的杰出人才。美光技术领导力项目 (TLP) 新晋（即第四位）高级研究员 Mark Helm 诠释了技术与创新的双重特质。
Mark Helm
在美光工作的 22 年中，Mark 为 DRAM、NAND 和 NOR 设备开发做出了许多重大贡献。最近，他在推动美光非易失性产品创新中发挥了不可或缺的作用，并负责 3D NAND 闪存设备的核心创新工作。Mark 还尽其所能充实美光现有和未来的工程人才库。他是美光内部工程师的导师，并参与美光校招工作。
美光设计工程和非易失性内存副总裁 Ramin Ghodsi 表示：“Mark 是美光 NAND 发展历程中的中流砥柱，他是理性、创新和坚持不懈的代言人，他成功地将自己对 NAND 单元算法、性能和可靠性的深入了解，融入到产品设计领域。他还指导过许多设计工程师，帮助他们充分了解美光，并提高工作效率。”
美光的高级研究员角色被赋予了非凡的使命与责任，他们不仅需要推动公司层面的技术目标与战略，还需成为引领团队前行的导师。高级研究员还必须拥有行业认可的技术成就。
美光工艺研发副总裁 Naga Chandrasekaran 表示：“Mark 在推动美光 3D NAND 项目取得优势地位方面发挥了重要作用，他也是 TLP 的执行发起人。凭借在工艺集成、设备可靠性和设计工程方面的深厚造诣与丰富经验，Mark 在指导美光 NAND 项目取得创新方面，做出了巨大贡献。此次晋升为高级研究员，是对他出色成就的褒奖。”
Mark 于 1993 年加入美光，为 DRAM、NOR 闪存和 NAND 闪存设备的工艺集成与设备开发贡献了宝贵的力量。自 2008 年以来，他在非易失性设计工程团队工作，帮助推动了从 2D NAND 到 3D NAND 的过渡。
Mark 目前负责制定解决方案，综合改善美光当前和未来非易失性产品的成本、性能、功耗和可靠性。他拥有威斯康星大学麦迪逊分校电气工程学士学位和斯坦福大学电气工程硕士学位。他拥有超过 75 项美国专利。
美光新晋研究员
今年，美光的 TLP 将两名杰出的成员成功晋升为研究员，这是另一个备受尊崇的职位。
Nirmal Ramaswamy
Nirmal Ramaswamy 是美光新兴内存小组的新晋研究员。自 2002 年加入美光以来，Nirmal 取得了诸多成就，尤其值得一提的是，他在发明和选择 NAND 单元技术方面发挥了主导作用，该技术目前正广泛应用于生产。在担任当前职位期间，他将新兴内存的技术水平推向了新高度。
Nirmal 拥有印度理工学院马德拉斯分校冶金工程学士学位和亚利桑那州立大学材料科学与工程博士学位。他拥有超过 143 项美国专利。
David Porter
David Porter 是美光 DRAM 工程小组的新晋研究员。他于 1996 年加入美光，在半导体行业拥有超过 28 年的经验。在美光工作期间，他取得了许多成就，包括推动 LPDDR4 和 DDR4 DRAM 设计和电路设计技术的创新，帮助制定下一代 DRAM 规范。David 目前的职责是为博伊西 DRAM 设计团队的高级技术人员设定技术方向并管理技术开发活动。
他拥有密西西比州立大学电气工程学士学位和佐治亚理工学院电气工程硕士学位。他拥有 74 项美国专利。
我谨代表美光 TLP 祝贺 Mark、Nirmal 和 David 获得晋升。我们才华横溢的团队成员携手共进，推动美光技术蓬勃发展和持续创新，通过我们支持的产品为人们的生活带来更加丰富多彩的体验，我为此感到无比振奋。